📢 SK하이닉스, HBM3E 12단 발표 이어 HBM4 세계 최초 양산 체제 구축
AI 시대를 이끄는 메모리 혁신의 흐름과 시장 변화 2025년 9월, SK하이닉스가 연이어 두 가지 메모리 혁신을 발표하며 글로벌 반도체 시장의 중심에 섰습니다. 먼저 세계 최초로 12단 적층 기술을 적용한 HBM3E 24GB 제품 을 공개했고, 이어서 HBM4 개발 완료 및 양산 체제 구축 소식을 전했습니다. 이 두 발표는 단순한 기술 진보를 넘어, AI·빅데이터·고성능 컴퓨팅(HPC) 시대를 위한 메모리 구조의 근본적 전환을 의미합니다. 🔍 HBM이란 무엇인가? HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 적층해 데이터 처리 속도를 획기적으로 높인 고성능 메모리입니다. 기존 D램 대비 대역폭은 수십 배, 전력 효율은 수 배 향상되며, AI 서버·그래픽카드·슈퍼컴퓨터 등에 필수적으로 탑재됩니다. SK하이닉스는 HBM1 → HBM2 → HBM2E → HBM3 → HBM3E → HBM4까지 기술을 선도해왔으며, 이번 HBM4는 세계 최초 양산 체제 구축 이라는 상징적 이정표를 세웠습니다. ⚙️ HBM3E 12단 제품의 기술적 특징 기존 8단 제품 대비 용량 50% 증가 (16GB → 24GB) 제품 두께는 동일하게 유지해 공간 효율 극대화 D램 칩을 40% 얇게 제작 해 적층 밀도 향상 MR-MUF 공정 을 통해 열 방출·생산성·안정성 개선 AMD 등 글로벌 고객사에 샘플 제공 및 테스트 진행 중 ⚙️ HBM4의 기술적 진화와 차별점 데이터 전송 통로(I/O) : 기존 대비 2배 증가 (2048개) 대역폭 : 2배 확대 전력 효율 : 40% 이상 향상 동작 속도 : 10Gbps 이상 (JEDEC 표준 8Gbps 상회) 공정 기술 : Advanced MR-MUF + 10나노급 5세대 D램 기술 적용 AI 서비스 성능 향상 : 최대 69% 개선 가능 📊 기술 비교: HBM3E vs HBM4 ...