📢 SK하이닉스, HBM3E 12단 발표 이어 HBM4 세계 최초 양산 체제 구축

9월 13, 2025

AI 시대를 이끄는 메모리 혁신의 흐름과 시장 변화

2025년 9월, SK하이닉스가 연이어 두 가지 메모리 혁신을 발표하며 글로벌 반도체 시장의 중심에 섰습니다. 먼저 세계 최초로 12단 적층 기술을 적용한 HBM3E 24GB 제품을 공개했고, 이어서 HBM4 개발 완료 및 양산 체제 구축 소식을 전했습니다. 이 두 발표는 단순한 기술 진보를 넘어, AI·빅데이터·고성능 컴퓨팅(HPC) 시대를 위한 메모리 구조의 근본적 전환을 의미합니다.

🔍 HBM이란 무엇인가?

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 적층해 데이터 처리 속도를 획기적으로 높인 고성능 메모리입니다. 기존 D램 대비 대역폭은 수십 배, 전력 효율은 수 배 향상되며, AI 서버·그래픽카드·슈퍼컴퓨터 등에 필수적으로 탑재됩니다.

SK하이닉스는 HBM1 → HBM2 → HBM2E → HBM3 → HBM3E → HBM4까지 기술을 선도해왔으며, 이번 HBM4는 세계 최초 양산 체제 구축이라는 상징적 이정표를 세웠습니다.

⚙️ HBM3E 12단 제품의 기술적 특징

기존 8단 제품 대비 용량 50% 증가 (16GB → 24GB)
제품 두께는 동일하게 유지해 공간 효율 극대화
D램 칩을 40% 얇게 제작해 적층 밀도 향상
MR-MUF 공정을 통해 열 방출·생산성·안정성 개선
AMD 등 글로벌 고객사에 샘플 제공 및 테스트 진행 중

⚙️ HBM4의 기술적 진화와 차별점

데이터 전송 통로(I/O): 기존 대비 2배 증가 (2048개)
대역폭: 2배 확대
전력 효율: 40% 이상 향상
동작 속도: 10Gbps 이상 (JEDEC 표준 8Gbps 상회)
공정 기술: Advanced MR-MUF + 10나노급 5세대 D램 기술 적용
AI 서비스 성능 향상: 최대 69% 개선 가능

📊 기술 비교: HBM3E vs HBM4

항목	HBM3E (12단)	HBM4 (6세대)
적층 수	12단	미공개 (고밀도 적층)
용량	24GB	미공개 (고용량 예상)
데이터 통로	1024개	2048개
대역폭	기준 대비 향상	2배 확대
전력 효율	개선됨	40% 이상 향상
동작 속도	약 6.4~7.2Gbps	10Gbps 이상
공정 기술	MR-MUF	Advanced MR-MUF + 1bnm D램
고객 반응	테스트 중	품질 인증 진행 중

📈 시장에 미치는 파장 효과

1. AI 인프라 수요 폭증 대응

GPT-5, 루빈 플랫폼 등 초거대 AI 모델의 등장으로 고속·고용량 메모리 수요가 폭발적으로 증가하고 있습니다. HBM4는 이러한 수요에 대응할 수 있는 최적의 솔루션으로 평가받고 있으며, 데이터 병목 현상 해소와 전력 비용 절감 효과까지 기대됩니다.

2. 글로벌 고객사와의 협력 강화

SK하이닉스는 엔비디아, AMD 등 주요 고객사와 협력 중이며, HBM4는 차세대 AI 가속기 ‘루빈’에 탑재될 가능성이 높습니다. 빠른 품질 인증과 양산 체제 구축으로 시장 선점 효과가 기대됩니다.

3. 경쟁사 대비 기술 우위 확보

삼성전자와 마이크론도 HBM4 개발에 나섰지만, SK하이닉스가 세계 최초 양산 체제를 공식 발표하며 기술 리더십을 입증했습니다. HBM 판매 증가로 D램 시장에서도 삼성전자를 제치고 2분기 연속 세계 1위를 기록한 바 있습니다.

🔮 앞으로의 변화와 전망

HBM4 양산 본격화: 2025년 하반기부터 주요 고객사에 공급 시작 예상
HBM5 로드맵 가동: 2026~2027년 차세대 메모리 개발 착수 가능성
AI 메모리 시장 성장률: 연평균 50% 이상 성장 전망
데이터센터 효율성 향상: 전력 소비 절감과 성능 향상으로 ESG 측면에서도 긍정적

⚠️ 투자 유의사항

※ 본 콘텐츠는 정보 제공을 목적으로 작성된 것이며, 특정 종목에 대한 투자 권유나 판매 유도 목적이 아닙니다.

기술 및 시장 전망은 공개된 자료와 보도 내용을 기반으로 분석된 것이며, 실제 결과는 시장 상황에 따라 달라질 수 있습니다.

투자 또는 기술 활용에 앞서 반드시 공식 자료와 전문가의 조언을 참고하시기 바랍니다.

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